在CPU工藝上，Intel之前提出了一個(gè)非常激進(jìn)的戰(zhàn)略，4年內(nèi)掌握5代CPU工藝的宏大目標(biāo)，分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A（等效2nm，其中A代表埃米，1nm=10埃米，下同）、18A(等效1.8nm)。

現(xiàn)在Intel 7工藝已經(jīng)在12代、13代酷睿上量產(chǎn)了，Intel中國(guó)研究院院長(zhǎng)宋繼強(qiáng)在會(huì)議上透露了最新工藝進(jìn)展。

接替Intel 7的Intel 4工藝已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，為投產(chǎn)做好了準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)2023年下半年在新一代酷睿Meteor Lake上首發(fā)，也就是14代酷睿。

Intel 3工藝則是Intel 4的改進(jìn)版，正在按計(jì)劃進(jìn)行。

在之后的20A、18A工藝對(duì)Intel來(lái)說(shuō)尤為重要，預(yù)計(jì)在2024年上半年及下半年量產(chǎn)，是Intel 2025年重奪半導(dǎo)體王者的關(guān)鍵工藝。

宋院長(zhǎng)透露，20A及18A工藝已經(jīng)有測(cè)試芯片流片，不過(guò)具體是什么芯片就沒(méi)有透露了，很大可能是Intel自家CPU，也有一定可能是Intel的代工客戶，此前Intel確認(rèn)18A工藝會(huì)有多家半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司感興趣。

Intel還會(huì)在20A、18A上首發(fā)兩大突破性技術(shù)，也就是RibbonFET和PowerVia，其中RibbonFET是Intel對(duì)Gate All Around晶體管的實(shí)現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來(lái)的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)。

該技術(shù)加快了晶體管開(kāi)關(guān)速度，同時(shí)實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流，但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，通過(guò)消除晶圓正面供電布線需求來(lái)優(yōu)化信號(hào)傳輸。